Opto Diode Corporation
米国カリフォルニア州に位置するOptoDiode社は、先進的なセンサー、フォトダイオードやLEDを製造供給し、30年以上に亘りフォトニクス産業を支えてきた歴史あるカンパニーです。2011年にIRD社を買収、2014年にはCalSensor社と合併し、現在ではX線、EUVから可視、NIR、mid IRに至るまで、幅広い領域に対応した製品群を取り揃え、理化学、バイオメディカル、産業用など各分野に供給しております。 ラドデバイスでは、OptoDiode社日本総代理店として、旧IRD社から引き継がれたXUV－UV用Siフォトダイオード製品を中心に、同社製品全般を取り扱っております。
Address：1260 Calle Suerte
Camarillo, CA 93012 USA
WEB：https://optodiode.com/
InGaAs アバランシェフォトダイオード Φ0.2mm ODD-APD-001
Opto Diode社のアバランシェフォトダイオード（Avalanche Photodiode, APD）シリーズは、広範なスペクトル範囲において安定した高利得・低ノイズ検出を実現します。このシリーズのODD-APD-001（正式なモデル名：ODD-APD-003-1550-IGA-T46）は、近赤外領域(波長 900 nm ～ 1700 nm)の高感度光検出を目的に設計されたInGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)です。InGaAs APD ODD-APD-001は受光面積0.03 mm²の小型アクティブ領域によりファイバー結合や高帯域幅回路との親和性が高く、光通信の1550 nm帯受信モジュールや長距離・低反射物検出を必要とするLiDAR／レーザ距離計、近赤外分光や微弱光計測を行う研究機関・大学、宇宙・航空分野のLIDAR受信器、医療や産業用近赤外センシング機器の設計者・OEMに特に適しております。
軟X線(soft X-ray)/電子検出用 Siフォトダイオード AXUV100G
Opto Diode社のAXUV100Gは、X線、電子の精密検出を目的に設計されています。100mm²の大型有効面積を備え、0.124nmから190nmの波長範囲で優れた光感度を発揮するため、X線アプリケーションに最適です。
また、低エネルギー領域の電子の高精度測定が得意であり、200 eV程度の低エネルギーまで検出可能です。
EUV用Siフォトダイオード SXUV100
Opto Diode社のSXUV100は、極端紫外線（EUV）放射、X線、電子の精密検出を目的に設計されています。100mm²の大型有効面積を備え、1nmから190nmの波長範囲で優れた感度を発揮するため、高強度EUVアプリケーションに最適です。
更に、ラドデバイス経由で販売するSXUV100の保証逆バイアス電圧は100Vであり、一般的にメーカーが販売しているSXUV100の保証値10Vよりも1桁(1オーダー)上回る仕様となっております。これは、100Vを超える逆バイアスを実際に印加し測定するテストにクリアした製品のみを厳選してOpto Diode社から弊社ラドデバイスに提供していただいているためです。
軟X線～UV領域用IRD Siフォトダイオード
OptoDiode社 IRD Siフォトダイオード(p-n接合)の検出範囲は、フォトンエネルギー1.12eV～10KeV (λ:1100nm ～0.124nm)、低エレクトロン・イオンエネルギーに及びます。
UV、EUV、軟X線領域に於ける絶対値測定(NIST、PTB他の研究機関にて較正)が容易に行える検出素子として、AXUV100G、SXUV100など、高エネルギー研究分野・EUV関連開発用途で定評があります。
