Opto Diode 社 (旧 International Radiation Detectors 社)
軟X線/EUV/VUV/電子検出用 AXUV Siフォトダイオードアレイ AXUV16ELG
製品特長
- 40 Pin デュアルインラインパッケージ（DIP）
- Ｘ線および低エネルギー電子の検出に最適
- 低エネルギー電子（200 eV ～ 30 keV）の検出可能
- EUV, VUV領域検出可能
- 光に対する広いスペクトル応答性 (0.124 nm - 190 nm)
Opto Diode社のAXUV16ELGは、X線、EUV、VUVおよび電子の検出を目的に設計された1次元Siフォトダイオードアレイです。1方向に16個のAXUVフォトダイオードを並べており、光や電子、イオンの1次元位置検出を行うことができます。AXUVのフォトダイオードアレイは0.124 nmから190 nmまでの短波長領域における高い感度によって、微弱光の光位置情報をリアルタイムで取得することができます。
仕 様
| 受光面積(per element) | 10mm² (テスト時 2mm x 5mm) |
|---|---|
| 電子・光子感度(Responsivity) | 下記グラフを参照 |
| 逆バイアスブレークダウン電圧 | (Typ) 25 (V) |
| シャント抵抗 (per element) | (Min) 100 (MΩ) |
| キャパシタンス | (Typ) 700 (pF) (Max) 2000 (pF) (逆バイアス電圧 0V時) |
| 立ち上がり時間 | (Typ) 500 (ns) (逆バイアス電圧 0V時) |
温度パラメーター
| 環境または状況 | 保管および動作温度範囲 |
| 大気 (Ambient) | -10 ～ 40 ℃ |
| 窒素または真空 (Nitrogen または Vacuum) | -20 ～ 80 ℃ |
| 端子はんだ付け温度 (Lead Soldering Temperature) | 260℃ |
電子感度(Responsivity)
EUV-UV 光子感度(Responsivity)
UV-VIS-NIR 光子感度(Responsivity)
キャパシタンス(接合容量)の逆バイアス電圧依存性
暗電流の逆バイアス電圧依存性
パッケージ情報
寸法はインチ[mm]単位で表示されています。
PIN説明
| PIN番号 | 接続 (Connection) |
|---|---|
| 1, 2, 19, 20 | Common Anode |
| 21, 22, 39, 40 | Common Anode |
| 3, 38 | Cathode Element 1 |
| 4, 37 | Cathode Element 2 |
| 5, 36 | Cathode Element 3 |
| 6, 35 | Cathode Element 4 |
| 7, 34 | Cathode Element 5 |
| 8, 33 | Cathode Element 6 |
| 9, 32 | Cathode Element 7 |
| 10, 31 | Cathode Element 8 |
| 11, 30 | Cathode Element 9 |
| 12, 29 | Cathode Element 10 |
| 13, 28 | Cathode Element 11 |
| 14, 27 | Cathode Element 12 |
| 15, 26 | Cathode Element 13 |
| 16, 25 | Cathode Element 14 |
| 17, 24 | Cathode Element 15 |
| 18, 23 | Cathode Element 16 |
