ラドデバイス|RAD Device

ラドデバイスは、光がリードする先端テクノロジーと共に歩みます

Opto Diode 社 (旧 International Radiation Detectors 社)

軟X線/電子検出用 大面積 Siフォトダイオード AXUV300C

軟X線/電子検出用 大面積 Siフォトダイオード AXUV300C

製品特長

Opto Diode社のAXUV300Cは、X線、電子の微小信号検出を目的に設計されています。300mm²を超える大面積の長方形受光面を備えており、繊細な信号検出を必要とするX線アプリケーションに最適です。


仕 様

受光面積 331mm² (テスト時21.56mm x 15.36mm)
(Typ)

電子Responsivity

AXUV300CのResponsivity(A/W)グラフ画像(電子)
(Typ)

EUV-UV 光子Responsivity

AXUV300CのResponsivity(A/W)グラフ画像(EUV-UV)
(Typ)

UV-VIS-NIR 光子Responsivity

AXUV300CのResponsivity(A/W)グラフ画像(UV-VIS-NIR)
シャント抵抗 (Min) 5 (MΩ)
キャパシタンス (Typ) 25 (nF)
(Max) 40 (nF)
(逆バイアス電圧 10V時)
応答時間 (Typ) 15 (μs)
(逆バイアス電圧 0V時)
伝導電流 (Min) 1 (mA)
(Vf=0.8V時)

温度パラメーター

環境または状況 保管および動作温度範囲
大気 (Ambient) -10 ~ 40 ℃
窒素または真空 (Nitrogen または Vacuum) -20 ~ 80 ℃
端子はんだ付け温度 (Lead Soldering Temperature) 260℃

パッケージ情報

寸法はインチ[mm]単位で表示されています。

AXUV300Cのパッケージ詳細

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