ラドデバイス|RAD Device

ラドデバイスは、光がリードする先端テクノロジーと共に歩みます

Opto Diode 社 (旧 International Radiation Detectors 社)

EUV用 大面積Siフォトダイオード SXUV300C

EUV用 大面積Siフォトダイオード SXUV300C

製品特長

Opto Diode社のSXUV300Cは、極端紫外線(EUV)放射およびX線の光パワー精密検出を目的に設計されています。受光面積がSXUV100のおおよそ3倍となっており、かつ、窓無しセラミックパッケージを採用しているため、波長1nmのような軟X線領域の微弱光(微弱信号)を高精度で検知することが可能です。


仕 様

受光面積 331mm² (テスト条件 22.05mm × 15.85mm 時)
Responsivity
・(Typ) 0.22 (A/W) @13.5 nm
シャント抵抗 (Min) 5 (MΩ)
Reverse Breakdown Voltage (Min) 20 (V)
(Typ) 25 (V)
キャパシタンス (Typ) 25 (nF)
(Max) 40 (nF)
(逆バイアス電圧 0V 時)
応答時間 (Typ) 15 (μs)
(RL = 50 Ω, VR = 0 V 時)

パッケージ情報

Opto Diode社HPのデータシートはこちら

 

 


 

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