ラドデバイス|RAD Device

ラドデバイスは、光がリードする先端テクノロジーと共に歩みます

Opto Diode 社 (旧 International Radiation Detectors 社)

EUV(13.5 nm)用 バンドパスフィルタ付きフォトダイオード SXUV100TF135

EUV(13.5 nm)用 バンドパスフィルタ付きフォトダイオード SXUV100TF135

製品特長

Opto Diode社のSXUV100TF135は、13.5 nm 近傍の波長域における極端紫外線(EUV)放射の精密検出を目的に設計されています。100 mm²の大型有効面積を備え、12 nmから18 nmの波長範囲で優れた感度を発揮するため、13.5 nm高強度EUVアプリケーション、特に13.5 nmの光のパワーおよびエネルギー計測に最適です。

SXUV100の受光面の表層部に波長13.5 nm近傍をバンドパスする薄膜を蒸着しております。


仕 様

受光面積 100mm² 
Responsivity
・(Min) 0.08 (A/W) @13.5 nm
・(Typ) 0.09 (A/W) @13.5 nm
・(Max) 0.1 (A/W) @13.5 nm
Reverse Breakdown Voltage (Min) 25 (V)
キャパシタンス (Min) 0.8 (nF)
(Typ) 1 (nF)
(Max) 1.2 (nF)
(逆バイアス電圧 0V 時)
応答時間 (Typ) 30 (ns)
(RL = 50 Ω, VR = 12 V, 450nm レーザー時)
暗電流 (Typ)8 (nA)
(Max)25 (nA)

Opto Diode社HPのデータシートはこちら

 

 


 

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