ラドデバイス|RAD Device

ラドデバイスは、光がリードする先端テクノロジーと共に歩みます

Opto Diode 社 (旧 International Radiation Detectors 社)

軟X線/電子検出用 センター穴あり Siフォトダイオード AXUV63HS1-CH

軟X線/電子検出用 センター穴あり Siフォトダイオード AXUV63HS1-CH

製品特長

Opto Diode社のAXUV63HS1-CHは、X線、電子の検出を目的に設計された、円形受光面を持つ高速応答フォトダイオードAXUV63HS1にΦ1mmのセンター穴が空いているモデルです。


仕 様

受光面積 63mm² (Φ9mmの円形面中心にΦ1mmの穴)
(Typ)

電子Responsivity

AXUV63HS1-CHのResponsivity(A/W)グラフ画像(電子)
(Typ)

EUV-UV 光子Responsivity

AXUV63HS1-CHのResponsivity(A/W)グラフ画像(EUV-UV)
(Typ)

UV-VIS-NIR 光子Responsivity

AXUV63HS1-CHのResponsivity(A/W)グラフ画像(UV-VIS-NIR)
最大逆バイアス電圧 (Min) 160 (V)
キャパシタンス (Typ) 1 (nF)
(Max) 10 (nF)
(逆バイアス電圧 0V時)

(Typ) 85 (pF)
(逆バイアス電圧 150V時)
AXUV63HS1-CHのcapacitanceグラフ画像
応答時間 (Max) 9 (ns)
(逆バイアス電圧 150V時)
暗電流 (Max) 100 (nA)
(逆バイアス電圧 150V時)

温度パラメーター

環境または状況 保管および動作温度範囲
大気 (Ambient) -10 ~ 40 ℃
窒素または真空 (Nitrogen または Vacuum) -20 ~ 80 ℃
端子はんだ付け温度 (Lead Soldering Temperature) 260℃

パッケージ情報

寸法はインチ[mm]単位で表示されています。

AXUV63HS1-CHのパッケージ詳細

Opto Diode社HPのデータシートはこちら


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