Opto Diode 社 (旧 International Radiation Detectors 社)
軟X線/EUV/VUV/電子検出用 AXUV Siフォトダイオードアレイ AXUV20ELG
製品特長
- 22 Pin デュアルインラインパッケージ（DIP）
- Ｘ線および低エネルギー電子の検出に最適
- 低エネルギー電子（200 eV ～ 30 keV）の検出可能
- EUV, VUV領域検出可能
- 光に対する広いスペクトル応答性 (0.124 nm - 190 nm)
Opto Diode社のAXUV20ELGは、X線、EUV、VUVおよび電子の検出を目的に設計された1次元Siフォトダイオードアレイです。1方向に20個のAXUVフォトダイオードを並べており、光や電子、イオンの1次元位置検出を行うことができます。AXUVのフォトダイオードアレイは0.124 nmから190 nmまでの短波長領域における高い感度によって、微弱光の光位置情報をリアルタイムで取得することができます。同AXUVシリーズAXUV16ELGよりも小型であり、1次元空間分解能も高くなっています。
仕 様
| 受光面積(per element) | 3mm² (テスト時 0.75mm x 4.1mm) |
|---|---|
| 電子・光子感度(Responsivity) | 下記グラフを参照 |
| 逆バイアスブレークダウン電圧 | (Min) 20 (V) (Typ) 25 (V) |
| シャント抵抗 (per element) | (Min) 100 (MΩ) |
| キャパシタンス | (Max) 1 (nF) (逆バイアス電圧 0V時) |
| 立ち上がり時間 | (Max) 200 (ns) (逆バイアス電圧 0V時) |
温度パラメーター
| 環境または状況 | 保管および動作温度範囲 |
| 大気 (Ambient) | -10 ～ 40 ℃ |
| 窒素または真空 (Nitrogen または Vacuum) | -20 ～ 80 ℃ |
| 端子はんだ付け温度 (Lead Soldering Temperature) | 260℃ |
電子感度(Responsivity)
EUV-UV 光子感度(Responsivity)
UV-VIS-NIR 光子感度(Responsivity)
パッケージ情報
寸法はインチ[mm]単位で表示されています。
PIN説明
| PIN番号 | 接続 (Connection) |
|---|---|
| 1, 12 | Common Anode |
| n/a | Cathode Element 1 |
| 2 | Cathode Element 3 |
| 3 | Cathode Element 5 |
| 4 | Cathode Element 7 |
| 5 | Cathode Element 9 |
| 6 | Cathode Element 11 |
| 7 | Cathode Element 13 |
| 8 | Cathode Element 15 |
| 9 | Cathode Element 17 |
| 10 | Cathode Element 19 |
| 11 | Cathode Element 21 |
| 13 | Cathode Element 20 |
| 14 | Cathode Element 18 |
| 15 | Cathode Element 16 |
| 16 | Cathode Element 14 |
| 17 | Cathode Element 12 |
| 18 | Cathode Element 10 |
| 19 | Cathode Element 8 |
| 20 | Cathode Element 6 |
| 21 | Cathode Element 4 |
| 22 | Cathode Element 2 |
| n/a | Cathode Element 22 |
