ラドデバイス|RAD Device

ラドデバイスは、光がリードする先端テクノロジーと共に歩みます

Opto Diode 社 (旧 International Radiation Detectors 社)

軟X線/電子検出用 Φ5mm高速応答 Siフォトダイオード AXUV20HS1

軟X線/電子検出用 Φ5mm高速応答 Siフォトダイオード AXUV20HS1

製品特長

Opto Diode社のAXUV20HS1は、X線、電子のパルス検出を目的に設計されています。Φ5mmの円形受光面を備え、受光面に沿って100μm間隔でグリッドを配置することでナノ秒(ns)オーダーの応答時間を実現しています。


仕 様

受光面積 20mm² (テスト時Φ5.01mm)
(Typ)

電子Responsivity

AXUV20HS1のResponsivity(A/W)グラフ画像(電子)
(Typ)

EUV-UV 光子Responsivity

AXUV20HS1のResponsivity(A/W)グラフ画像(EUV-UV)
(Typ)

UV-VIS-NIR 光子Responsivity

AXUV20HS1のResponsivity(A/W)グラフ画像(UV-VIS-NIR)
最大逆バイアス電圧 (Min) 160 (V)
キャパシタンス (Typ) 300 (pF)
(Max) 900 (pF)
(逆バイアス電圧 0V時)
AXUV20HS1のcapacitanceグラフ画像
応答時間 (Max) 3.5 (ns)
(逆バイアス電圧 150V時)
暗電流 (Max) 100 (nA)
(逆バイアス電圧 150V時)
暗電流グラフ画像

温度パラメーター

環境または状況 保管および動作温度範囲
大気 (Ambient) -10 ~ 40 ℃
窒素または真空 (Nitrogen または Vacuum) -20 ~ 80 ℃
端子はんだ付け温度 (Lead Soldering Temperature) 260℃

パッケージ情報

寸法はインチ[mm]単位で表示されています。

AXUV20HS1のパッケージ詳細

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