ラドデバイス|RAD Device

ラドデバイスは、光がリードする先端テクノロジーと共に歩みます

Opto Diode 社 (旧 International Radiation Detectors 社)

軟X線/電子検出用 特大受光面積 Siフォトダイオード AXUV576C

軟X線/電子検出用 特大受光面積 Siフォトダイオード AXUV576C

製品特長

Opto Diode社のAXUV576Cは、X線、電子の微小信号検出を目的に設計されています。576mmのmm²の特大受光面積を備え、微小信号の存在を検証する目的など、微小シグナルX線アプリケーションに最適です。


仕 様

受光面積 576.5mm² (テスト時24.01mm x 24.01mm)
(Typ)

電子Responsivity

AXUV576CのResponsivity(A/W)グラフ画像(電子)
(Typ)

EUV-UV 光子Responsivity

AXUV576CのResponsivity(A/W)グラフ画像(EUV-UV)
(Typ)

UV-VIS-NIR 光子Responsivity

AXUV576CのResponsivity(A/W)グラフ画像(UV-VIS-NIR)
シャント抵抗 (Min) 5 (MΩ)
(Typ) 50 (MΩ)
キャパシタンス (Typ) 5 (nF)
(Max) 15 (nF)
(逆バイアス電圧 0V時)
AXUV576Cのcapacitanceグラフ画像
応答時間 (Max) 50 (μs)
(逆バイアス電圧 10V時)
暗電流 暗電流グラフ画像

温度パラメーター

環境または状況 保管および動作温度範囲
大気 (Ambient) -10 ~ 40 ℃
窒素または真空 (Nitrogen または Vacuum) -20 ~ 80 ℃
端子はんだ付け温度 (Lead Soldering Temperature) 260℃

パッケージ情報

寸法はインチ[mm]単位で表示されています。

AXUV576Cのパッケージ詳細

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