ラドデバイス|RAD Device

ラドデバイスは、光がリードする先端テクノロジーと共に歩みます

Opto Diode 社 (旧 International Radiation Detectors 社)

VUV用 Siフォトダイオード AXUV100TF400

VUV用 Siフォトダイオード AXUV100TF400

製品特長

Opto Diode社のAXUV100TF400は、VUV領域の光検出を目的に設計されたSiフォトダイオードです。100mm²の大型有効面積を備え、18nmから80nmの波長範囲で優れた光感度を発揮するためVUVアプリケーションに最適です。

仕 様

 

受光面積 10mm x 10mm
(Typ)
VUV 光子Responsivity
AXUV100TF400のResponsivity(A/W)グラフ画像(VUV)
(Typ) 0.15 (A/W)@ 40 nm
シャント抵抗 (Min)20 (MΩ)
最大逆バイアス電圧 (Min) 5 (V)
(Typ) 10 (V)
キャパシタンス (Typ) 10 (nF)
(Max) 44 (nF)
(逆バイアス電圧 0V時)
AXUV100TF400のcapacitanceグラフ画像

温度パラメーター

環境または状況 保管および動作温度範囲
大気 (Ambient) -10 ~ 40 ℃
窒素または真空 (Nitrogen または Vacuum) -20 ~ 80 ℃
端子はんだ付け温度 (Lead Soldering Temperature) 260℃

パッケージ情報

寸法はインチ[mm]単位で表示されています。

AXUV100TF400のパッケージ詳細

Opto Diode社HPのデータシートはこちら


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