Opto Diode 社 (旧 International Radiation Detectors 社)

EUV用Siフォトダイオード SXUV100

製品特長

【ラドデバイス限定】保証耐圧100 V
高い放射線耐性
低ノイズ性能
広いスペクトル応答性 (1 nm - 190 nm)

Opto Diode社のSXUV100は、極端紫外線（EUV）放射、X線、電子の精密検出を目的に設計されています。100mm²の大型有効面積を備え、1nmから190nmの波長範囲で優れた感度を発揮するため、高強度EUVアプリケーションに最適です。

更に、ラドデバイス経由で販売するSXUV100の保証逆バイアス電圧は100Vであり、一般的にメーカーが販売しているSXUV100の保証値10Vよりも1桁(1オーダー)上回る仕様となっております。これは、100Vを超える逆バイアスを実際に印加し測定するテストにクリアした製品のみを厳選してOpto Diode社から弊社ラドデバイスに提供していただいているためです。

仕様

受光面積	10mm x 10mm
Responsivity	・(Typ) 0.22 (A/W) @13.5 nm
保証逆バイアス電圧	100 (V) (ラドデバイス経由の製品)
シャント抵抗	（Min）10 (MΩ)
キャパシタンス	(Typ) 5 (nF) (Max) 15 (nF) (逆バイアス電圧 0V時)
応答時間	(Typ) 250 (ns) (Max) 6 (μs)

Opto Diode社HPのデータシートはこちら

PTBにおける較正サポート

SXUV100のEUV領域における個別較正はドイツの機関, PTB (Physikalisch -Technische Bundesanstalt)で実施されております。

主な較正内容は次の通りです：

面内感度分布
11.5 nmから15.5 nmの波長の光に対する感度(A/W)

PTB較正証書例がありますので、ご要望の方はお気軽にお問い合わせください。

SXUV100に関する詳細情報

ここでは、SXUV100を実際に使用する、もしくは、これから使用を検討されている研究者および技術者の方に役立つ参考情報を載せています。

パルス光測定の線形性（Linearity）について

SXUV100で単発パルス光を測定する際は、少なくとも100 (μJ/cm²)を超えてはいけません。更に、繰り返しパルス光の場合はしきい値が下がり、パルス一つ当たり1 (μJ/cm²)を超えないことが推奨されます。これらのしきい値を超えると感度の線形領域（積算キャリア電荷-光エネルギー特性曲線の直線領域）から外れてしまうためです。

この問題を解決するために、逆バイアス電圧を印加することが挙げられます。逆バイアスをかけると上記のしきい値が向上します。また、元々ゼロバイアスで線形領域内における正常な測定ができている場合、逆バイアスを印加しても感度(C/J, A/W)は変わりません。

これらのパルス光測定の線形性の議論は以下の論文が参考になります。特に、2つ目の論文は逆バイアスによる応答速度および線形性の向上について詳細に解説しております。

PTBにおけるEUV光測定の結果および線形性の議論については以下の論文が参考になります。